Experimenta Serialia LPT-11 in Laser Semiconductore
Descriptio
Laser plerumque tribus partibus constat
(1) Medium operandi laseris
Generatio laseris medium operandi aptum eligere debet, quod potest esse gas, liquidum, solidum vel semiconductor. In hoc genere medii, inversio numeri particularum fieri potest, quae est condicio necessaria ad laserem obtinendum. Plane, existentia gradus energiae metastabilis valde utilis est ad inversionem numeri efficiendam. Hodie, fere mille genera mediorum operandi exstant, quae amplam varietatem longitudinum undarum laseris a VUV ad infrarubrum remotum producere possunt.
(2) Fons incitamenti
Ut inversio numeri particularum in medio operante appareat, necesse est certas methodos adhibere ad systema atomicum excitandum ut numerus particularum in gradu superiore augeatur. In genere, emissio gasis adhiberi potest ad atomos dielectricos excitandos electronibus cum energia cinetica, quod excitatio electrica appellatur; fons lucis pulsatilis etiam adhiberi potest ad medium operans irradiandum, quod excitatio optica appellatur; excitatio thermalis, excitatio chemica, etc. Variae methodi excitationis visualizantur ut antlia vel antlia. Ut emissio laserica continue obtineatur, necesse est continue pumpare ut numerus particularum in gradu superiore maior sit quam in gradu inferiore.
(3) Cavitas resonans
Materia operativa et fonte excitationis idoneis adhibitis, inversio numeri particularum fieri potest, sed intensitas radiationis stimulatae valde debilis est, itaque in praxi adhiberi non potest. Itaque homines de resonatore optico ad amplificandum cogitant. Resonator opticus, qui re vera appellatur, resonator opticus re vera duo specula magna reflectivitate constant, ad utrumque extremum laseris inter se posita. Unum fere totum reflectitur, alterum plerumque reflectitur et paulum transmittitur, ita ut laser per speculum emitti possit. Lux ad medium operativum reflexa novam radiationem stimulatam inducere pergit, et lux amplificatur. Ergo lux in resonatore huc illuc oscillat, reactionem concatenatam efficiens, quae instar nivalis amplificatur, validam emissionem laseris ab uno extremo speculi reflexionis partialis producens.
Experimenta
1. Characteristica potentiae emissae laseris semiconductoris
2. Mensura anguli divergentis laseris semiconductoris
3. Gradus polarizationis mensurae laseris semiconductoris
4. Spectralis characterizatio laseris semiconductoris
Specificationes
Res | Specificationes |
Laser semiconductor | Potentia Emissa < 5 mW |
Longitudo Undae Mediae: 650 nm | |
Laser semiconductorAuriga | 0 ~ 40 mA (continue adaptabilis) |
Spectrometrum CCD Array | Spatium longitudinis undae: 300 ~ 900 nm |
Craticula: 600 L/mm | |
Distantia focalis: 302.5 mm | |
Rotary Polarizer Holder | Scala Minima: 1° |
Scaena Rotatoria | 0 ~ 360°, Scala Minima: 1° |
Mensa Elevatoria Optica Multifunctionalis | Elevationis Spatium >40 mm |
Mensura Potentiae Opticae | 2 µW ~ 200 mW, 6 scalae |