Apparatus LPT-10 ad Proprietates Laserorum Semiconductorum Mensurandas

Descriptio Brevis:

Laser semiconductor propter magnitudinem parvam, efficaciam magnam, longam vitam et celeritatem operationis latam applicationum varietatem habet. Progressus huius generis instrumenti ab initio arcte cum technologia communicationis opticae coniunctus est. Est fons lucis gravissimus communicationis lasericae per fibram, quae celerrime progreditur et in campo communicationis maximi momenti est. Expectatur ut partes magnas agat in processu informationis opticae, repositione optica et communicatione optica. Instrumenta computatralia et externa, copulatio optica et holografia, mensuratio telemetriae, radar et alia erunt applicationes magni momenti. Expectatur ut laser semiconductor magnum potentiale suum in rapida progressione technologiae communicationis lasericae per fibram agat.

Mitte nobis inscriptionem electronicam

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Experimenta

1. Distributionem in campo longinquo fasciculi metire et angulos divergentes verticales et horizontales eius calcula.

2. Proprietates tensionis et currentis metire.

3. Relationem inter potentiam opticam emissam et currentem metire, et limen currentis eius acquirere.

4. Relationem inter emissionem potentiae opticae et currentem ad temperaturas diversas metire, et proprietates temperaturae eius analysare.

5. Proprietates polarizationis fasciculi lucis emissi metire et rationem polarizationis eius calcula.

6. Experimentum facultativum: legem Mali verifica.

Specificationes

Res	Specificationes
Laser semiconductor	Potentia Emissa < 2 mW
Laser semiconductor	Longitudo Undae Mediae: 650 nm
Copia PotestatisLaser semiconductor	0 ~ 4 VDC (continue adaptabilis), resolutio 0.01 V
Detector Photographicus	Detector silicii, apertura ingressus lucis 2 mm
Sensorium Angulare	Ambitus mensurae 0 – 180°, resolutio 0.1°
Polarizator	Apertura 20 mm, angulus rotationis 0 – 360°, resolutio 1°
Velum Lucis	Magnitudo 150 mm × 100 mm
Voltimetrum	Spatium mensurae 0 – 20.00 V, resolutio 0.01 V
Mensura Potentiae Laser	2 µW ~ 2 mW, 4 scalae
Regulator Temperaturae	Ambitus moderationis: a temperatura ambiente ad 80°C, resolutio 0.1°C

Index Partium

Descriptio	Quantitas
Valisa principalis	1
Instrumentum laseris et sensorium anguli	1 par
Laser semiconductor	1
Ferrivia labens	1
Labi	3
Polarizator	2
Velum album	1
Sustentatio veli albi	1
Photodetector	1
Funis trium filorum	3
Funis quinque-nuclearis	1
Filum rubrum connexionis (duo breve, unum longum)	3
Filum connexionis nigrum (magnitudinis mediae)	1
Filum connexionis nigrum (magnum, unum breve, unum longum)	2
Funiculus electricus	1
Manuale instructionum	1